近期,超级周期各大芯片厂商纷纷提高产品价格。存储根据央视财经的行业报道,过去六个月,将进全球存储芯片价格持续上升,入各尤其是大芯在过去一个月,涨价消息层出不穷。片公品
根据《科创板日报》的司提不完全统计:
在9月下旬,三星电子通知将四季度DRAM价格提价15%至30%,高产格NAND闪存价格上调5%至10%。超级周期
群联公司也恢复了其NAND闪存控制芯片的存储报价,价格上涨约10%。行业
9月16日,将进西部数据通知客户将逐步提高所有HDD(机械硬盘)产品价格。入各
而闪迪在九月初宣布,大芯面向所有渠道的NAND产品均将提价超过10%。
此次涨价主要集中在DRAM和NAND两种类型的存储芯片:前者为易失性存储,读取速度快,但断电后数据会丢失;后者则是非易失性存储,能在断电后保留数据,适用于存放大数据量和模型参数。
摩根士丹利的最新研究报告预测,在人工智能的推动下,存储芯片行业将迎来一个“超级周期”。近期(10月1日),OpenAI与三星电子、SK海力士宣布达成初步供货协议,韩国公司将为“星际之门”项目提供存储芯片。根据韩国总统办公室的信息,OpenAI预计到2029年订购90万片存储芯片晶圆。
SK海力士表示,该需求预测是全球高带宽存储芯片(HBM)产能的两倍多,显示出项目的规模及全球人工智能发展的迅速。进一步分析发现,在DRAM和HBM的高成本及供不应求的情况下,NAND有望成为AI时代的新主流存储选项。
三星电子已经开始进行HBF新型高带宽闪存产品的前期开发,HBF相较于HBM,采用NAND闪存代替DRAM。韩国科学技术院的金正浩教授提到,当前人工智能的瓶颈在于内存带宽和容量,速度较慢但容量大的NAND闪存可以发挥重要作用。
摩根士丹利预测,到2026年,NAND闪存将出现高达8%的供应缺口。同时,群联电子董事长潘健成也表示,尽管SSD正在成为大容量存储的主流,但当前SSD与HDD的市场占比为2:8,预计2026年起,NAND闪存将严重短缺,未来十年供应将持续紧张。
值得注意的是,NAND Flash的价格涨幅已超过DRAM。根据CFM的数据,2025年第三季度,NAND Flash市场综合价格指数上升5%,而DRAM市场综合价格指数上升19.2%。在9月单月,NAND Flash的市场综合价格指数上涨4.7%,而DRAM上涨2.6%。
展望未来,TrendForce预计2025年第4季度NAND Flash价格将上涨5-10%。中信证券认为,数据中心的eSSD价格上涨幅度可能超过市场预期,预计到2026年大容量QLC SSD将迎来爆发性增长。
本文转载自:财联社;XM外汇官网编辑:陈筱亦
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